Electrónica de potencia.
1.- Objetivo:
El objetivo de la electrónica de
potencia es saber cuál es la diferencia que existe entre diversos dispositivos
electrónicos identificándolos por medio del control de voltaje y corriente que
son significativos. Dependiendo de las características que tengan se define el
tipo de aplicación que se le dará al dispositivo diferenciándose entre
electrónica de baja potencia o también de corrientes débiles, además tiene como
objetivo el control de transferencia de energía eléctrica como máximo
rendimiento posible.
2.- Significado:
Nosotros podemos definir a la
electrónica de potencia de la siguiente manera:
“Electrónica de potencia es la
parte de la electrónica encargada del estudio de dispositivos, circuitos,
sistemas y procedimientos para el procesamiento, control y conversión de la
energía eléctrica”.
Otro significado que nosotros
podemos encontrar es que la electrónica de potencia combina potencia,
electrónica y control. Así nosotros podemos decir que el control se ocupa de
las características estáticas y dinámicas de los sistemas. La potencia se
encarga de los sistemas de potencia móviles y estáticos para la generación,
transformación y distribución de la potencia eléctrica. La electrónica trata
con los componentes de estado sólido y circuitos para el tratamiento de señales
con el objetivo de obtener el control necesario. En base a esto se define a la
electrónica de potencia como la aplicación de la electrónica de estado sólido
para el control y el control de la potencia eléctrica.
Un significado más que se le da
es el siguiente:
"Electrónica de potencia es la
electrónica que liga a la potencia eléctrica con la electrónica."
3.- Partes de un equipo de electrónica de potencia.
En la electrónica de
potencia nos encontramos a la electricidad y a la electrónica, en estas se
utiliza el control que permiten la conducción de encendido y de apagado a
través de los semiconductores en los circuitos electrónicos para que se puedan
controlar las variaciones de corrientes y voltaje que se encuentran. A este
tipo de equipos se les llama convertidores elásticos de potencia.
Tenemos dos partes fundamentales
en nuestro equipo de potencia, en primera estancia está el circuito de potencia
que es el que va a ligar nuestra primera fuente de alimentación con la carga,
está compuesta por semiconductores de potencia y elementos pasivos y en segunda
estancia esta un circuito de mando que en este va la información elaborada por
el circuito de potencia y genera señales de excitación que determinan la
conducción de los semiconductores controlados por una fase y secuencia
conveniente.
4.- Aplicación:
En general los
sistemas de la electrónica de potencia se utilizan para accionar cualquier
dispositivo que necesite una entrada de energía eléctrica distinta a la que
suministra la fuente de administración primaria.
Hablando ya de su aplicación en las
diferentes áreas podemos encontrarla en 3 ramas principales:
Primero
podemos encontrar su aplicación en la vida diaria y se encuentra en:
- Refrigeración y congelación de alimento.
- Calefacción y aire
acondicionado.
- Cocinas, lavadoras,
aspiradoras, ondas, iluminación.
- Electrónica de consumo
(ordenadores, TV, vídeo…).
También se encuentra en la vida comercial:
· Calefacción, ventilación, aire acondicionado…
· Iluminación.
·
Equipos informáticos.
·
Sistemas de alimentación ininterrumpidas (SAIs).
·
Ascensores.
Y podemos encontrarla en la industria:
·
Bombas, compresores, ventiladores…
·
Motores, máquinas herramientas, robots…
·
Hornos (inducción…)
·
Láser industrial.
·
Soldadura.
·
Iluminación.
No solo encontramos en estas áreas a la
electrónica de potencia también se encuentra en el transporte, la energía, las
telecomunicaciones, en lo aeroespacial, etc.
5.- Dispositivos de la
electrónica de potencia:
El componente básico del circuito de potencia debe cumplir los
siguientes requisitos:
- Tener
dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro
de baja impedancia (conducción).
- Poder
controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequeña potencia.
- Ser
capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando está en
estado de bloqueo, con pequeñas caídas de tensión entre sus electrodos,
cuando está en estado de conducción. Ambas condiciones lo capacitan para
controlar grandes potencias.
- Rapidez
de funcionamiento para pasar de un estado a otro.
El último
requisito se traduce en que a mayor frecuencia de funcionamiento habrá una
mayor disipación de potencia. Por tanto, la potencia disipada depende de la
frecuencia.
Dentro de los dispositivos electrónicos de
potencia, se encuentran:
Los diodos y transistores de potencia, el
tiristor, así como otros derivados de éstos, tales como los triac, diac,
conmutador unilateral o SUS, transistor uniunión o UJT, el transistor uniunión
programable o PUT y el diodo Shockley.
5.1
Clasificación:
Los dispositivos de potencia se pueden
clasificar en 3 grandes grupos:
1. Dispositivos
no controlados: En este grupo se encuentran los Diodos. Los estados de conducción o cierre (ON) y bloqueo o abertura
(OFF) dependen del circuito de potencia. Por tanto, estos dispositivos no
disponen de ningún terminal de control externo.
2.
Dispositivos semi-controlados: En este grupo se encuentran, dentro de la
familia de los Tiristores, los SCR (“Silicon Controlled Rectifier”) y los TRIAC
(“Triode of Alternating Current”). En éste caso su puesta en conducción (paso
de OFF a ON) se debe a una señal de control externa que se aplica en uno de los
terminales del dispositivo, comúnmente denominado puerta. Por otro lado, su
bloqueo (paso de ON a OFF) lo determina el propio circuito de potencia. Es decir,
se tiene control externo de la puesta en
conducción, pero no así del bloqueo del dispositivo.
3.
Dispositivos totalmente controlados: En este grupo encontramos los transistores
bipolares BJT (“Bipolar Junction Transistor”), los transistores de efecto de
campo MOSFET (“Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”), los
transistores bipolares de puerta aislada IGBT (“Insulated Gate Bipolar
Transistor”) y los tiristores GTO (“Gate Turn-Off Thyristor”), entre otros.
6.-
Diodos.
Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido. Este término
generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el más común en
la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales eléctricos. El diodo de vacío (que actualmente ya no se usa, excepto
para tecnologías de alta potencia) es un tubo
de vacío con dos electrodos: una lámina como ánodo, y un cátodo.
Diodos termoiónicos y
de estado gaseoso.
Son dispositivos de válvula
termoiónica (también conocida como tubo de vacío), que consisten en un
arreglo de electrodos empacados en un vidrio al vacío. Los primeros modelos
eran muy parecidos a la lámpara incandescente.
En los diodos de válvula
termoiónica, una corriente a través del filamento que se va a calentar calienta
indirectamente el cátodo, otro electrodo interno tratado con una mezcla de
Bario y óxido de estroncio, los cuales son óxidos alcalinotérreos; se eligen
estas sustancias porque tienen una pequeña función de trabajo (algunas válvulas
usan calentamiento directo, donde un filamento de tungsteno actúa como calentador
y como cátodo). El calentamiento causa emisión termoiónica de electrones en el
vacío. En polarización directa, el ánodo estaba cargado positivamente por lo
cual atraía electrones. Sin embargo, los electrones no eran fácilmente
transportados de la superficie del ánodo que no estaba caliente cuando la
válvula termoiónica estaba en polarización inversa. Además, cualquier corriente
en este caso es insignificante.
En la mayor parte del
siglo xx, los diodos de válvula termoiónica se usaron en aplicaciones de
señales análogas, rectificadores y potencia. Hasta el día de hoy, los diodos de
válvula solamente se usan en aplicaciones exclusivas como rectificadores en
guitarras eléctricas, amplificadores de audio, así como equipo especializado de
alta tensión.
Diodo semiconductor.
Un diodo semiconductor moderno
está hecho de cristal semiconductor como el silicio con impurezas en él para
crear una región que contiene portadores de carga negativa (electrones),
llamado semiconductor de tipo n, y una región en el otro lado que contiene
portadores de carga positiva (huecos), llamado semiconductor tipo p. Las
terminales del diodo se unen a cada región. El límite dentro del cristal de
estas dos regiones, llamado una unión PN, es donde la importancia del
diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones del lado n
(llamado cátodo), pero no en la dirección opuesta; es decir, cuando una
corriente convencional fluye del ánodo al cátodo (opuesto al flujo de los
electrones).
Al unir ambos cristales, se
manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (Je). Al
establecerse una corriente de difusión, aparecen cargas fijas en una zona a
ambos lados de la unión, zona que recibe el nombre de región de
agotamiento.
Tipos de diodos semiconductores.
Existen varios tipos de diodos,
que pueden diferir en su aspecto físico, impurezas, uso de electrodos, que
tienen características eléctricas particulares usados para una aplicación
especial en un circuito. El funcionamiento de estos diodos es fundamentado por
principios de la mecánica cuántica y teoría de bandas.
Diodo avalancha: Diodos que conducen en dirección contraria cuando
el voltaje en inverso supera el voltaje de ruptura. Eléctricamente son
similares a los diodos Zener, pero funciona bajo otro fenómeno, el efecto
avalancha. Esto sucede cuando el campo eléctrico inverso que atraviesa la unión
p-n produce una onda de ionización, similar a una avalancha, produciendo una
corriente. Los diodos avalancha están diseñados para operar en un voltaje
inverso definido sin que se destruya. La diferencia entre el diodo avalancha
(el cual tiene un voltaje de reversa de aproximadamente 6.2V) y el diodo zener
es que el ancho del canal del primero excede la "libre asociación" de
los electrones, por lo que se producen colisiones entre ellos en el camino. La
única diferencia práctica es que los dos tienen coeficientes de temperatura de
polaridades opuestas.
Diodo de Silicio: Suelen tener un tamaño milimétrico y, alineados,
constituyen detectores multicanal que permiten obtener espectros en
milisegundos. Son menos sensibles que los fotomultiplicadores. Es un
semiconductor de tipo p (con huecos) en contacto con un semiconductor de tipo n
(electrones). La radiación comunica la energía para liberar los electrones que
se desplazan hacia los huecos, estableciendo una corriente eléctrica
proporcional a la potencia radiante.
Diodo de cristal: Es un tipo de diodo de contacto. El diodo
cristal consiste de un cable de metal afilado presionado contra un cristal
semiconductor, generalmente galena o de una parte de carbón. El
cable forma el ánodo y el cristal forma el cátodo. Los diodos de cristal tienen
una gran aplicación en los radio a galena. Los diodos de cristal están
obsoletos, pero puede conseguirse todavía de algunos fabricantes.
Diodo de corriente constante: Realmente es un JFET, con
su compuerta conectada a la fuente, y funciona como un limitador de corriente
de dos terminales análogo al diodo Zener, el cual limita el voltaje. Permiten
una corriente a través de ellos para alcanzar un valor adecuado y así
estabilizarse en un valor específico. También suele llamarse CLDs (por sus
siglas en inglés) o diodo regulador de corriente.
- Diodo Schottky:
Es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy
rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en
dispositivos pequeños de 5 mm de diámetro) y muy bajas tensiones umbral
(también conocidas como tensiones de codo, aunque en inglés se refieren a ella
como "knee", es decir, rodilla).
La tensión de codo es la diferencia
de potencial mínima necesaria para que el diodo actúe como conductor en lugar
de circuito abierto; esto, dejando de lado la región Zener, que es cuando
existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que a pesar
de estar polarizado en inversa éste opere de forma similar a como lo haría
regularmente.
A frecuencias bajas
un diodo normal puede conmutar fácilmente cuando la polarización
cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo
de conmutación puede llegar a ser muy alto, poniendo en peligro el dispositivo.
El diodo Schottky está
constituido por una unión metal-semiconductor (barrera Schottky), en lugar de
la unión convencional semiconductor P - semiconductor
N utilizada por los diodos normales.
Así se dice que el diodo Schottky
es un dispositivo semiconductor "portador mayoritario". Esto
significa que, si el cuerpo semiconductor está dopado con impurezas tipo
N, solamente los portadores tipo N (electrones móviles) desempeñarán
un papel significativo en la operación del diodo y no se realizará la
recombinación aleatoria y lenta de portadores tipo
N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con
lo que la operación del dispositivo será mucho más rápida.
- Recuperación
rápida: Cuando hablamos de los diodos de recuperación rápida nos referimos
a que sirven igual que los normales, sirven para rectificar, la diferencia de
estos es que están diseñados para poder rectificar pulsos de alta frecuencia
como en las fuentes conmutadas o a la salida del fly back, , la diferencia con
un diodo normal es que el umbral de transferencia o zona agotada es más delgada
para poder permitir la trasferencia o brinco cuando recibe pulsos de alta
frecuencia, por eso se les conoce de alta velocidad o de recuperación rápida,
un ejemplo es el 1N4139 o el más común, 1N4148, con alguno de estos puedes
sustituir a cualquier diodo rectificador normal, pero no pueden ser sustituidos
a menos que sea de alta velocidad el sustituto.
- Diodo
rectificador: Es uno de los dispositivos de la familia de los diodos más
sencillos. El nombre diodo rectificador” procede de su aplicación, la cual
consiste en separar los ciclos positivos de una señal de corriente alterna. Si se aplica al diodo una tensión
de corriente alterna durante los medios ciclos positivos, se polariza en forma
directa; de esta manera, permite el paso de la corriente eléctrica. Pero
durante los medios ciclos negativos, el diodo se polariza de manera inversa;
con ello, evita el paso de la corriente en tal sentido. Durante la fabricación
de los diodos rectificadores, se consideran tres factores: la frecuencia máxima
en que realizan correctamente su función, la corriente máxima en que pueden
conducir en sentido directo y las tensiones directa e inversa máximas que soportarán.
Una de las aplicaciones clásicas de los diodos rectificadores, es en las
fuentes de alimentación; aquí, convierten una señal de corriente alterna en
otra de corriente directa.
7.- Tiristores.
Es un componente
electrónico constituido por elementos semiconductores que
utiliza realimentación interna para producir una conmutación. Los
materiales de los que se compone son de tipo semiconductor, es decir,
dependiendo de la temperatura a la que se encuentren pueden funcionar como
aislantes o como conductores. Son dispositivos unidireccionales porque
solamente transmiten la corriente en un único sentido. Se emplea generalmente
para el control de potencia eléctrica.
Normalmente son usados en diseños
donde hay corrientes o voltajes muy grandes, también son comúnmente usados para
controlar corriente alterna donde el cambio de polaridad de la
corriente revierte en la conexión o desconexión del dispositivo. Se puede decir
que el dispositivo opera de forma síncrona cuando, una vez que el dispositivo
está abierto, comienza a conducir corriente en fase con el voltaje
aplicado sobre la unión cátodo-ánodo sin la necesidad de replicación de la
modulación de la puerta. En este momento el dispositivo tiende de forma
completa al estado de encendido. No se debe confundir con la operación
simétrica, ya que la salida es unidireccional y va solamente del cátodo al
ánodo, por tanto en sí misma es asimétrica.
El dispositivo consta de un ánodo
y un cátodo, donde las uniones son de tipo PNPN entre los mismos. Por tanto se
puede modelar como 2 transistores típicos PNP y NPN, por eso se dice también
que el tiristor funciona con tensión realimentada. Se crean así 3 uniones
(denominadas J1, J2, J3 respectivamente), el terminal de puerta está conectado
a la unión J2 (unión NP).
Algunas fuentes definen como
sinónimos al tiristor y al rectificador controlado de silicio
(SCR); otras definen al SCR como un tipo de tiristor, a la par que los
dispositivos DIAC y TRIAC.
SCR: Es un tipo
de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con
estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unión
de Tiratrón (tyratron) y Transistor.
Un SCR posee tres conexiones: ánodo, cátodo y gate
(puerta). La puerta es la encargada de controlar el paso de corriente entre el
ánodo y el cátodo. Funciona básicamente como
un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente
en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensión en la puerta del SCR
no se inicia la conducción y en el instante en que se aplique dicha tensión, el
tiristor comienza a conducir. Trabajando en corriente alterna el SCR
se desexcita en cada alternancia o semi-ciclo. Trabajando en corriente
continua, se necesita un circuito de bloqueo forzado, o bien interrumpir el
circuito.
TRIAC: Un TRIAC o Tríodo
para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la familia
de los tiristores. La diferencia con un tiristor convencional es que éste
es unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podría
decirse que el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente
alterna.
Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la
disposición que formarían dos SCR en direcciones opuestas.
Posee tres electrodos: A1,
A2 (en este caso pierden la denominación de ánodo y cátodo) y puerta. El
disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente al electrodo puerta.
La parte positiva de la onda
(semiciclo positivo) pasará por el triac siempre y cuando haya
habido una señal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circulará
de arriba hacia abajo (pasará por el tiristor que apunta hacia
abajo), de igual manera:
La parte negativa de la onda
(semiciclo negativo) pasará por el triac siempre y cuando haya habido
una señal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente
circulará de abajo hacia arriba (pasará por el tiristor que apunta
hacia arriba).
GTO:
Es
un dispositivo de electrónica de potencia que puede ser encendido por
un solo pulso de corriente positiva en la terminal puerta o gate (G), al igual
que el tiristor normal; pero en cambio puede ser apagado al aplicar un pulso de
corriente negativa en el mismo terminal. Ambos estados, tanto el estado de
encendido como el estado de apagado, son controlados por la corriente en la
puerta (G).
El proceso de encendido es similar
al del tiristor. Las características de apagado son un poco diferentes. Cuando
un voltaje negativo es aplicado a través de las terminales puerta (G) y cátodo
(C o K), la corriente en la puerta (ig), crece. Cuando la corriente en la
puerta (G) alcanza su máximo valor, IGR, la corriente de ánodo comienza a caer
y el voltaje a través del dispositivo (VAK), comienza a crecer. El tiempo de
caída de la corriente de ánodo (IA) es abrupta, típicamente menor a 1 us.
Después de esto, la corriente de ánodo varía lentamente y ésta porción de la
corriente de ánodo es conocido como corriente de cola.
Ventajas de los GTO
sobre los SCR:
1. Eliminación
de los componentes auxiliares en la conmutación forzada, que da como resultado
una reducción en costo, peso y volumen.
2. Eliminación
del ruido acústico y electromagnético debido a la eliminación de bobinas de
inducción en la conmutación.
3. Desactivación
más rápida, permitiendo frecuencias de conmutación más altas.
4. Una
eficiencia mejorada de los convertidores.
5. Ventajas
sobre los transistores bipolares en aplicaciones de baja potencia.
6. Más
alta capacidad de voltaje de bloqueo.
7. Alta
relación de corriente de pico controlable a corriente promedio.
8. Alta
relación de corriente de pulsación pico a corriente promedio, típicamente de
10:1.
9. Alta
ganancia en estado activo típicamente de 600 Señal de compuerta pulsada de
corta duración. Bajo condiciones de pulsación de carga, un GTO pasa a una
saturación más profunda debido a la acción regenerativa. Por otra parte, un
transistor bipolar tiende a salirse de saturación.
Principales aplicaciones en la industria:
·
Troceadores y convertidores
·
Control de motores asíncronos
·
Inversores
·
Caldeo inductivo
·
Rectificadores
·
Soldadura al arco
·
Sistema de alimentación ininterrumpida (SAI)
·
Control de motores
·
Tracción eléctrica
8.-
Transistores.
Es un dispositivo
semiconductor usado para amplificar e interrumpir señales electrónicas o
potencia eléctrica. Está compuesto de materiales semiconductores con por lo
menos tres terminales para conexión externa al circuito. Gracias a que la
potencia de salida puede ser más grande que la potencia de control un
transistor puede amplificar una señal. Algunos transistores aún son construidos
en encapsulados individuales, pero la mayoría son construidos como parte de circuitos
integrados.
Con
el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica, la capacidad de
los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de
tensión y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es así
como actualmente los transistores son empleados en conversores estáticos
de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente
inversores), aunque su principal uso está basado en la amplificación de
corriente dentro de un circuito cerrado.
Cuando el interruptor SW1 está
abierto no circula intensidad por la Base del transistor por lo que la lámpara
no se encenderá, ya que, toda la tensión se encuentra entre Colector y Emisor.
Cuando
se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequeña circulará por la Base.
Así el transistor disminuirá su resistencia entre Colector y Emisor por lo que
pasará una intensidad muy grande, haciendo que se encienda la lámpara. (Figura
2).
ZONAS DE TRABAJO:
CORTE: No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad
de Colector y Emisor también es nula. La tensión entre Colector y Emisor es la
de la batería. El transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un
interruptor abierto.
SATURACION: Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia
un incremento de la corriente de colector considerable. En este caso el
transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De
esta forma, se puede decir que la tensión de la batería se encuentra en la
carga conectada en el Colector.
ACTIVA: Actúa como amplificador. Puede dejar pasar más o menos
corriente.
Cuando trabaja en la zona de
corte y la de saturación se dice que trabaja en conmutación. En definitiva,
como si fuera un interruptor.
La ganancia de corriente es un
parámetro también importante para los transistores ya que relaciona la
variación que sufre la corriente de colector para una variación de la corriente
de base. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de características,
también aparece con la denominación hFE.
BJT: El transistor de unión
bipolar (o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado
sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que
permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales.
La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos),
y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son
los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica
analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica
digital, como la tecnología TTL o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar
está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor,
separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres
regiones:
·
Emisor:
que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
·
Base:
la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
·
Colector:
de extensión mucho mayor.
MOSFET: Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor
(MOS) son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo
eléctrico para crear una canal de conducción.
MOSFET significa "FET
de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada
Es un tipo especial de transistor
FET que tiene una versión NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N
y el PNP es llamado MOSFET de canal P.
Una delgada capa de material
aislante formada de dióxido de silicio (SiO2) (también llamada "sílice"
o "sílica") es colocada del lado del semiconductor y una capa de metal es
colocada del lado de la compuerta (GATE).
Son dispositivos más importantes
que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos integrados digitales se
construyen con la tecnología MOS.
Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N
o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS.
A su vez, estos transistores
pueden ser de acumulación (enhancement) o deplexion (deplexion); en la actualidad los
segundos están prácticamente en desuso y aquí únicamente serán descritos los
MOS de acumulación también conocidos como de enriquecimiento.
Los transistores MOSFET se
pueden dañar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la
capa de óxido es muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta
tensión o hay electricidad estática.
IGBT: El transistor bipolar de
puerta aislada es un dispositivo semiconductor que generalmente
se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de
potencia. Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de
los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo
voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta
aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como
interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como
el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del
BJT.
Los transistores IGBT han
permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular
en los Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas
eléctricas y convertidores de potencia que nos acompañan cada día y por
todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso:
Automóvil, tren, metro, autobús, avión, barco, ascensor, electrodoméstico, televisión, Sistemas
de Alimentación Ininterrumpida, etc.
http://materias.fi.uba.ar/6625/Clases/Dispositivos%20de%20electronica%20de%20potencia.pdf
http://www.iuma.ulpgc.es/~roberto/asignaturas/EI/transparencias/EI_Tema_2.Intro_EP.pdf
http://es.wikipedia.org/wiki/Electrónica_de_potencia
http://www.monografias.com/trabajos104/electronica-potencia-ii/electronica-potencia-ii.shtml
http://www.ugr.es/~amroldan/enlaces/dispo_potencia/introd.htm
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
http://www.ladelec.com/teoria/informacion-tecnica/321-diodos-rectificadores
http://es.wikipedia.org/wiki/Tiristor
http://es.wikipedia.org/wiki/Rectificador_controlado_de_silicio
http://es.wikipedia.org/wiki/Triac
http://www.unicrom.com/Tut_triac.asp
http://es.wikipedia.org/wiki/Tiristor_GTO
http://www.ecured.cu/index.php/Tiristor_desactivado_por_compuerta_%28GTO%29
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor.php
http://www.unicrom.com/Tut_transistores_MOSFET.asp
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_IGBT
